武汉拓材科技检测中心——为高纯材料检测保驾护航

Testing Center Overview

Testing Equipment Overview

应用方向：

• 高纯无机固体材料杂质成分分析；

• 低熔点金属，合金纯度分析，例如Ga;

• 薄膜镀层深度分析；

• 表面污染分析；

设备技术参数：

全元素分析，部分元素检出限可达PPT级，是目前测试元素覆盖最广的材料杂质检测设备

应用方向：

• 5N-6N高纯单质材料或氧化物或化合物金属元素分析；

• 纯水，无机酸杂质分析；

设备技术参数：

检出限低至0.01 ppm (根据样品种类和元素种类不同有所区别）   

应用方向：

• 有价值原料矿，金属回收废料含量测试；

• 污水重金属测试；

• 粗品到4N产品杂质分析；

• 主成分占比分析；

设备技术参数：

波长范围：165-900nm；

检出下限：>0.1ppm（根据元素和样品种类不同）

应用方向：

• 测定晶体的取向和评定晶体完善性，研究材料的相变、微观结构变化、缺陷及应力分布，评估晶片质量，检测杂质和晶体缺陷，测定晶体的取向和评定晶体完善性的仪器；

• 测试压电晶体、光学晶体、半导体晶体等多种材料；

设备技术参数：

单晶衍射型，精度±30″，适用压电晶体、光学晶体等材料的检测

应用方向：

• 超痕量杂质分析，6N以上高纯产品碲、镉、铟、镓、锡、铝、汞等测试；

• 超纯水，无机酸中杂质测试；

• 有机金属前驱体无机纯度测试；

设备技术参数：

三重四极杆，部分元素检出限可低至亚PPB级

应用方向：

• TG信号用于研究材料的质量变化、成分分析、热稳定性、氧化/还原、分解行为、腐蚀性研究、分解动力学分析等，DSC信号用于研究材料的熔融/结晶、固相转变、结晶度、玻璃化转变、抗氧化性等。

设备技术参数：

温度范围：室温～1400℃

温度精度：±0.1℃

应用方向：

• 确定物质和材料中含有哪些单质或化合物（定性），测定纳米材料的晶粒大小，单晶材料、晶片或晶棒的衍射角等。

设备技术参数：

定性分析，精确值1%级别

应用方向：

• 悬浮液或粉末样品的粒度分布。

设备技术参数：

测试范围：0.10µm-1000µm